【资料图】
1、 MOS(金属-氧化物-半导体)场效应管,简称MOS管(或器件),其核心结构是由导体、绝缘体与构成管子衬底的掺杂半导体这三层材料叠在一起组成的。
2、在电学上MOS管作为一种电压控制的开关器件。
3、描述NMOS器件在三个区域中性能的理想表达式即为萨氏方程。
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1、 MOS(金属-氧化物-半导体)场效应管,简称MOS管(或器件),其核心结构是由导体、绝缘体与构成管子衬底的掺杂半导体这三层材料叠在一起组成的。
2、在电学上MOS管作为一种电压控制的开关器件。
3、描述NMOS器件在三个区域中性能的理想表达式即为萨氏方程。
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